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型号 SI5975DC-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
SI5975DC-T1-GE3 PDF
代理商 SI5975DC-T1-GE3
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 P 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 86 毫欧 @ 3.1A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 450mV @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 9nC @ 4.5V
功率 - 最大 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
供应商设备封装 1206-8 ChipFET?
包装 带卷 (TR)
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